Globalfoundries investiert 250 Millionen US-Dollar in Dresdner Standort

Mit einer neuen Halbleitertechnologie, produziert in Dresden, soll aus Sachsen heraus der nächste Schritt in Richtung Industrie 4.0 gegangen werden. Kostengünstig, leistungsstark und trotzdem energiesparend soll der neue Super-Chip aus Sachsen sein.+++

Weitere Informationen zur Neuentwicklung und den Investitionen in den Dresdner Standort sehen Sie im Video. Außerdem sehen Sie die Interviews mit Dr. Sanjay Jha, CEO Globalfoundries, und Dr. Rutger Wijburg, Geschäftsführer Globalfoundries Dresden.

“22FDX” bietet die beste Kombination von Leistung, Stromverbrauch
und Kosten für das „Internet der Dinge“, mobile Geräte,
RF-Konnektivität und Netzwerk-Technologie

GLOBALFOUNDRIES hat am Montagmittag eine
vollkommen neue Halbleiter-Technologie vorgestellt, die die hohen Anforderungen
ständig vernetzter, mobiler Geräte der neuesten Generation an einen
besonders niedrigen Stromverbrauch erfüllt. Die neue „22FDX“
Technologie-Plattform ermöglicht dabei ein Leistungs- und
Energieeffizienzniveau vergleichbar mit der FinFET-Technologie zu
Kosten, die eher mit der 28 nm Planar-Technologie vergleichbar sind.
Dies macht diese neuartige Technologie zu einer perfekten Lösung für
den ständig wachsenden Markt von mobilen Geräten, das „Internet der
Dinge“ (IoT), RF- Konnektivität und Netzwerk-Anwendungen.

22FDX wird im Dresdner GLOBALFOUNDRIES Werk Fab 1 entwickelt und
anschließend für den Weltmarkt hergestellt. GLOBALFOUNDRIES plant für
die Einführung von 22FDX, also Technologie-Entwicklung und den weiteren
Ausbau der Produktionskapazitäten, rund 250 Millionen US-Dollar bis
Ende 2017 in Sachsen zu investieren. Die neue 22 nm Linie schließt
damit an die Volumenfertigung der bestehenden 28
nm-Technologie-Plattformen an. Mit der Einführung von 22FDX schlägt
GLOBALFOUNDRIES ein weiteres Kapitel in der Erfolgsgeschichte des
“Silicon Saxony” Cluster auf. In das größte
Mikroelektronik-Unternehmen Europas wurde fast 20 Jahre lang
kontinuierlich investiert. Allein seit 2009, seit der Gründung von
GLOBALFOUNDRIES, beläuft sich die Zahl auf deutlich mehr als 5
Milliarden US-Dollar.

„Die Einführung von 22FDX ist ein Meilenstein in der erfolgreichen
Geschichte des Dresdner Standortes“, so Dr. Rutger Wijburg, Senior
Vice President und Geschäftsführer GLOBALFOUNDRIES Dresden.
„Industrielle Wettbewerbsfähigkeit wird zunehmend durch innovative
Chip-Technologien bestimmt. Wir sehen in der Ausrichtung des Dresdner
GLOBALFOUNDRIES Werkes auf energieeffiziente, leistungsstarke und
kostengünstige 22 nm FD-SOI Bausteine eine große Chance, die
Themenfelder „Industrie 4.0“, das „Internet der Dinge“ sowie
eine zukunftsorientierte, innovative Automobilindustrie aus Deutschland
und Europa heraus weiter voran zu treiben.“

Während einige Anwendungen auf die überragende Leistungsfähigkeit
dreidimensionaler FinFET Transistoren angewiesen sind, benötigen die
meisten mobilen Anwendungen eine bessere Balance zwischen Leistung,
Stromverbrauch und Kosten. Die 22FDX Technologie bietet nun einen
alternativen Ansatz, indem sie als erste in der Industrie eine 22 nm
zweidimensionale fully-depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI)
Technologie einsetzt. Sie kann bei 0,4 V betrieben werden, was
vollkommen neue Möglichkeiten für extrem niedrigen Energieverbrauch,
eine geringere Wärmebelastung und kleinere Gehäuseabmessungen für die
Endprodukte eröffnet. Die Plattform benötigt eine 20 Prozent kleinere
Chipfläche und 10 Prozent weniger Masken im Vergleich zur 28 nm
Technologie sowie fast 50 Prozent weniger
Immersions-Lithografie-Schichten als bei Foundry FinFET.

“Die 22FDX Plattform ermöglicht unseren Kunden, maßgeschneiderte
Lösungen mit der besten Kombination von Leistung, Stromverbrauch und
Kosten anzubieten“, so Sanjay Jha, Chief Executive Officer,
GLOBALFOUNDRIES. „Zum ersten Mal in der Industriegeschichte erlaubt
22FDX durch Software und in Echtzeit die Charakteristik der Transistoren
zu verändern: Der Systementwickler kann so Stromverbrauch, Leistung und
Leckströme dynamisch anpassen. Zusätzlich bietet die Plattform
höchste Energieeeffizienz für RF und analoge Integration.“

Die 22FDX Plattform besteht aus einer Reihe verschiedener Produkte, die
entwickelt wurden, um eine möglichst breite Palette von Anwendungen in
verschiedenen Marktsegmenten zu ermöglichen:

· 22FD-ULP („base ultra-low power“) ist eine Alternative zu
FinFETs, die die besonders hohen Anforderungen des Smartphone-Marktes im
unteren und mittleren Preissegment erfüllt. 22FD-ulp nutzt so genanntes
„body-biasing“, das den Stromverbrauch um mehr als 70 Prozent im
Vergleich zu 28 nm HKMG senkt, und somit bei Leistung und Stromverbrauch
mit FinFET vergleichbar ist. Für bestimmte IoT und Consumer Anwendungen
kann die Plattform für 0,4 V Betrieb optimiert werden, und erreicht
damit Energieeinsparungen von bis zu 90 Prozent im Vergleich zu 28 nm
HKMG.

· 22FD-UHP („ultra-high performance“) ist geeignet für
Netzwerk-Anwendungen mit analoger Integration. Dabei ist 22FD-uhp so
optimiert, dass es die gleichen außerordentlich hohen Leistungswerte
wie FinFET erreicht, gleichzeitig aber den Stromverbrauch minimiert.
Optimierungen für 22FD-uhp umfassen „forward body-bias“, auf
spezielle Anwendungen optimierte „metal stacks“, sowie
Unterstützung für „0,95 V Overdrive“.

· 22FD-ULL („ultra-low leakage”) ist vor allem für
tragbare Geräte (“wearables“) und IoT Anwendungen entwickelt worden
und bietet die gleichen Möglichkeiten wie 22FD-ulp, verringert dabei
aber Leckströme auf 1pA/µm. Diese Kombination aus niedrigem
Stromverbrauch unter Last, extrem niedrigen Leckströmen und flexiblem
„body-biasing“ ermöglicht eine vollkommen neue Klasse
batteriebetriebener tragbarer Geräte.

· 22FD-RFA (“radio frequency analog”) bietet höhere
Datenübertragungsraten bei bis zu 50 Prozent geringerem
Energieverbrauch und reduzierten Systemkosten, um die strengen
Anforderungen von Volumen-RF Anwendungen wie z.B. LTE-A Transmitter,
„High Order MIMO WiFi“ Kombi-Chips und „Millimeter Wave Radar“
zu erfüllen. Die RF „Active Device Back-Gate“ Funktion kann dabei
die Notwendigkeit reduzieren oder eliminieren, komplexe
Ausgleich-Schaltkreise im primären RF-Signal-Pfad zu verwenden. Das
ermöglicht RF-Entwicklern, eine höhere Leistungsfähigkeit der Geräte
zu erreichen.

In enger Zusammenarbeit mit Kunden und Partnern hat GLOBALFOUNDRIES eine
optimierte Design-Umgebung sowie ein umfangreiches Portfolio
grundlegender und komplexer IP entwickelt. Design Starter Kits und
Process Design Kits (PDKs) sind ab sofort verfügbar, die
Vorserienproduktion („risk production“) beginnt im zweiten Halbjahr
2016.

_SO ÄUßERN SICH GLOBALFOUNDRIES‘ KUNDEN UND PARTNER_

„GLOBALFOUNDRIES‘ FDX- Plattform, die auf einer gemeinsam
entwickelten, verbesserten FD-SOI Transistor-Technologie basiert,
erweitert das Ökosystem und erschließt eine weitere Quelle für die
Volumenproduktion“, so Jean-Marc Chery, Chief Operating Officer,
STMicroelectronics. „FD-SOI ist eine ideale Prozesstechnologie, die
die einzigartigen Anforderungen der ständig aktiven und vernetzten
Geräte des „Internet der Dinge“ sowie anderer Energie-sensitiver
Anwendungen an niedrigen Stromverbrauch erfüllt.“

„Freescales i.MX 7 Prozessoren der nächsten Generation erfordern
einen extrem geringen Stromverbrauch und gleichzeitig „performance on
demand“, wie sie nur 22FDX für IoT Geräte bieten kann“, so Ron
Martino Vice President of Application Processors and Advanced
Technology, Freescale MCU Group. „GLOBALFOUNDRIES‘ 22FDX Plattform
erlaubt es uns, Energieeffizienz, analoge Leistung und vor allem
Kosteneinsparungen zu kombinieren, um unsere Roadmap für die i.Mx
Plattform über die bereits verfügbaren Produkte hinaus erweitern zu
können.“

„GLOBALFOUNDRIES‘ 22FDX hat aus unserer Sicht ein außerordentlich
hohes Potenzial, was niedrigen Stromverbrauch und gleichzeitig hohe
Leistungsfähigkeit angeht“, so Jens Benndorf, Managing Director und
COO, Dream Chip Technologies. „Wir planen daher, diese neue
Technologie in unseren systemkritischen Kamera-basierten
Fahrer-Assistenz-Systemen für Automobile zum Einsatz zu bringen.“

“Die ständig vernetzte Welt der mobilen und IoT Geräte hängt von
der Verfügbarkeit von SoC’s (System on a Chip) ab, die für Leistung,
Stromverbrauch und Kosten optimiert sind“, so Will Abbey, General
Manager, Physical Design Group, ARM. „Wir arbeiten sehr eng mit
GLOBALFOUNDRIES zusammen, um die physikalische IP zur Verfügung zu
stellen, die für die Kunden notwendig ist, um von den einzigartigen
Vorteilen von 22FDX zu profitieren.“

„VeriSilicon hat weitreichende Erfahrungen beim Design von SoCs für
das Internet der Dinge auf Basis der FD-SOI Technologie, und wir haben
die Vorteile von FD-SOI eindrucksvoll unter Beweis gestellt, indem wir
Anwendungen für den „ultra-low power“ und „low-energy“ Markt
liefern“, so Wayne Dai, President and CEO, VeriSilicon Holdings Co.
Ltd. „Wir freuen uns, gemeinsam mit GLOBALFOUNDRIES an der 22FDX
Technologie arbeiten zu können, um hinsichtlich Stromverbrauch,
Leistung und Kosten optimierte Designs für Smartphones, „Smart
Homes“ und „Smart Cars“ insbesondere für den chinesischen Markt
anbieten zu können.

„FD-SOI ist eine kostengünstige Lösung, die Technologie-Plattform
übergreifend („multi-node“) tragbare Geräte wie „wearables“,
Consumer-, Multimedia-, Automobil- und andere Anwendungen
ermöglicht“, so Handel Jones, Gründer und CEO, IBS Inc.
„GLOBALFOUNDRIES’ 22FDX vereint die Vorteile der stromsparenden
FD-SOI Technologie auf einer kostengünstigen Plattform, für die wir
eine sehr hohe Nachfrage erwarten.“

„FD-SOI ist in der Lage, erhebliche Verbesserungen bei Leistung und
Energieverbrauch zu erzielen, minimiert dabei aber gleichzeitig die
notwendigen Anpassungen an bestehende Design- und
Herstellungsprozesse“, so CEA-Leti CEO Marie Noëlle Semeria.
„Gemeinsam können wir erprobte und verlässliche Design- und
Herstellungsprozesse für die erfolgreiche Herstellung von
GLOBALFOUNDRIES‘ 22FDX entwickeln.”

„Die Ankündigung von GLOBALFOUNDRIES ist ein wichtiger Meilenstein
für die Herstellung modernster elektronischer Schaltkreise, die extrem
wenig Strom verbrauchen“, so Paul Boudre, Chief Executive Officer,
Soitec. „Wir freuen uns, als GLOBALFOUNDRIES’ strategischer Partner
gemeinsam an der 22FD-SOI Technologie arbeiten zu können.
Unser„ultra-thin“ SOI Substrat ist für die Volumenproduktion der
22FDX Technologie bereit.“

Quelle: Pressemitteilung Globalfoundries